Este chip, presentado en Corea del Sur, trataría de un módulo de 8 gigabits (1GB), de bajo consumo y tecnología LPDDR4 (3.1 Gbps), lo que supone una memoria un 50% más rápida y que consume un 40 por ciento menos.

Además, se podrán alcanzar los 4 GB de memoria RAM en un conjunto de múltiples capas y que se adaptarían al 'smartphone'.

Los coreanos han asegurado que se comenzarán a fabricar en masa a lo largo del 2014 y serán destinados a ordenadores portátiles, 'tablets' y 'smartphones'.

"Esta próxima generación de LPDDR4 DRAM contribuirá significativamente a un crecimiento más rápido del mercado mundial de DRAM móvil, que pronto contará con el mayor porcentaje de todo el mercado de DRAM ", dijo el vicepresidente ejecutivo de ventas y marketing de memoria de Samsung, Young-Hyun Jun.